【ChinaByte综合消息】本周，英特尔公司在微处理器制造技术开发方面又跨越了一个重要的里程碑。这种新的微处理器制造技术，可以用于生产速度为目前5倍快的微处理器。

　　据称，上述技术是第一种可用于尖端紫外线光刻技术(EUV)的标准格式光掩膜。这一技术可以使微处理器制造商在硅晶片上蚀刻出更小的图案，使微处理器制造工艺达到70毫微米这一等级。目前的微处理器大多是采用180毫微米的工艺而制造的。

　　由于EUV技术的开发比较顺利，许多行业人士认为，这种技术将取代现有的深度紫外线光刻技术(DUV)，用于制造速度可达10GHz或者更高的微处理器。

　　英特尔开发出来的这种光掩膜，在今年早些时候提交给了EUV LLC(一家负责开发尖端紫外线光刻技术的联盟组织)。它将被用于EUV工程测试台——一种EUV微处理器制造设备的原型，采用EUV光刻技术在硅晶片上蚀刻出第一幅图案。

　　 EUV LLC的成员包括英特尔、AMD、摩托罗拉、Micron科技、Infineon公司，以及美国联邦政府下属的Sandia和Lawrence Livermore国家实验室。不久前，IBM也加入了这个联盟。