芝、Winbond共同开发512Mb DRAM

东芝公司与台湾的WinbondElectronicsCorp.最近宣布，两家公司共同开发了512MbDRAM及其制造技术。新技术采用0.13μm制造工艺，具有深槽型单元状结构。Winbond预定把新技术用于混载DRAM的系统LSI的制造之中，并打算从2001年第四季度开始将此技术用于其FAB4与FAB5工厂的生产线上。